casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIE806DF-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIE806DF-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIE806DF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIE806DF-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PolarPAK® (L) |
Pacchetto / caso | 10-PolarPAK® (L) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE806DF-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIE806DF-T1-GE3-FT |
SIA810DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA810DJ-T1-E3
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