casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SICRD101200TR
codice articolo del costruttore | SICRD101200TR |
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Numero di parte futuro | FT-SICRD101200TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SICRD101200TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 640pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRD101200TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SICRD101200TR-FT |
VS-8EWS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel