casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8EWS10S-M3
codice articolo del costruttore | VS-8EWS10S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8EWS10S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-8EWS10S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EWS10S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8EWS10S-M3-FT |
VS-12EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12EWH06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15AWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15AWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15AWL06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15AWL06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15EWH06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel