casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA483DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA483DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA483DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA483DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA483DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA483DJ-T1-GE3-FT |
SI4848DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850EY-T1
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SI4858DY-T1-E3
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SI4858DY-T1-GE3
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SI4860DY-T1-E3
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SI4860DY-T1-GE3
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SI4866BDY-T1-E3
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SI4866BDY-T1-GE3
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SI4876DY-T1-E3
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EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
Intel