casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4866BDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4866BDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4866BDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4866BDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5020pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4866BDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4866BDY-T1-GE3-FT |
SI4410BDY-T1-GE3
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SI4411DY-T1-E3
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SI4411DY-T1-GE3
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SI4412ADY-T1-E3
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SI4420BDY-T1-GE3
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SI4430BDY-T1-E3
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SI4430BDY-T1-GE3
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