casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA468DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA468DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA468DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIA468DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA468DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA468DJ-T1-GE3-FT |
SI4848DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4848DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850BDY-T1-GE3
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SI4850EY-T1
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-E3
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SI4858DY-T1-GE3
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SI4860DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-GE3
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SI4866BDY-T1-E3
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SI4866BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel