casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA433EDJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA433EDJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA433EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA433EDJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA433EDJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA433EDJ-T1-GE3-FT |
SQ4410EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4431EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4470EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4840EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4850EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ9407EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
TPC8014(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8018-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8021-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8022-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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