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codice articolo del costruttore | SIA427ADJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA427ADJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA427ADJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA427ADJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA427ADJ-T1-GE3-FT |
SI4850EY-T1
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4866BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4866BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4876DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4876DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4880DY-T1-E3
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel