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Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-E3

Numero parte MFG
SI9407BDY-T1-E3
quantità disponibile
69170 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.5248
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SI9407BDY-T1-E3 specificazioni

codice articolo del costruttore SI9407BDY-T1-E3
Numero di parte futuro FT-SI9407BDY-T1-E3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI9407BDY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI9407BDY-T1-E3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI9407BDY-T1-E3-FT

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