casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI9407BDY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI9407BDY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI9407BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI9407BDY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI9407BDY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI9407BDY-T1-E3-FT |
RSH070P05GZETB
Rohm Semiconductor
SI4154DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4401FDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4403CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4427BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4435DDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4435FDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4463CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4465ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4477DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation