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codice articolo del costruttore | SIJ420DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIJ420DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIJ420DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3630pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIJ420DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIJ420DP-T1-GE3-FT |
SUM110N08-07P-E3
Vishay Siliconix
SUM110P04-05-E3
Vishay Siliconix
SUM110P06-07L-E3
Vishay Siliconix
SUM110P08-11-E3
Vishay Siliconix
SUM110P08-11L-E3
Vishay Siliconix
SUM120N04-1M7L-GE3
Vishay Siliconix
SUM18N25-165-E3
Vishay Siliconix
SUM23N15-73-E3
Vishay Siliconix
SUM25P10-138-E3
Vishay Siliconix
SUM27N20-78-E3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel