casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI7964DP-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7964DP-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7964DP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7964DP-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 9.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7964DP-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7964DP-T1-E3-FT |
ALD210808ASCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210808SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210814SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110802SCL
Advanced Linear Devices Inc.
NDM3000
ON Semiconductor
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
LCMXO2-2000HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XCKU3P-2FFVD900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C6
Intel
EPF10K130EBC356-1
Intel
5SGXEA3H3F35I3L
Intel