casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI1029X-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI1029X-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1029X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1029X-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 305mA, 190mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
Potenza - Max | 250mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1029X-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1029X-T1-E3-FT |
SIA915DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA917DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA918EDJ-T1-GE3
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SIA920DJ-T1-GE3
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SIA921EDJ-T4-GE3
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SIA923AEDJ-T1-GE3
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SIA923EDJ-T1-GE3
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SIA928DJ-T1-GE3
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SIA929DJ-T1-GE3
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SIA936EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX72A-PQG208M
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AGLN250V5-ZVQG100I
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5SGXMA3E2H29I2N
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AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484C
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