casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI5513DC-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5513DC-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5513DC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5513DC-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A, 2.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5513DC-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5513DC-T1-GE3-FT |
SI7998DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7949DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7956DP-T1-E3
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SI7997DP-T1-GE3
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SI7962DP-T1-E3
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SI7236DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7236DP-T1-GE3
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SI7252DP-T1-GE3
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SI7270DP-T1-GE3
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SI7272DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX9-L1TQG144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC2S100-6PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX10DF672C6
Intel
EP4CE15F23C6N
Intel
EP3SL340F1517C3N
Intel
5CEBA4U19C7N
Intel
EP20K1000EBC652-1
Intel