casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7858ADP-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7858ADP-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7858ADP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7858ADP-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 29A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7858ADP-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7858ADP-T1-E3-FT |
SIS478DN-T1-GE3
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SIS862DN-T1-GE3
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SIS890DN-T1-GE3
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SIS892ADN-T1-GE3
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SIS892DN-T1-GE3
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SISA18DN-T1-GE3
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SISA72ADN-T1-GE3
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SQ7414AEN-T1_GE3
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SQS460EN-T1_GE3
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SQS840EN-T1_GE3
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