casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7748DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI7748DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7748DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SkyFET®, TrenchFET® |
SI7748DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4.8W (Ta), 56W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7748DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7748DP-T1-GE3-FT |
SIR402DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR438DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR466DP-T1-GE3
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SI7455DP-T1-GE3
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SI7136DP-T1-GE3
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A54SX32-TQG144I
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XC4013XL-09PQ208C
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M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
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A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
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AGLP060V5-CS289
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A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
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10AX115N3F40I3SGES
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