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codice articolo del costruttore | SI7136DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7136DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7136DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3380pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 39W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7136DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7136DP-T1-GE3-FT |
SI7772DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7868ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7880ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7892BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR158DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR172ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR184DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR460DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR610DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel