casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7402DN-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7402DN-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7402DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7402DN-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 20A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7402DN-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7402DN-T1-E3-FT |
SI7820DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS407DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS64DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7101DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7115DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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SI7315DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7421DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS427EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel