casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI7224DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI7224DN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7224DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7224DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 15V |
Potenza - Max | 17.8W, 23W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7224DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7224DN-T1-GE3-FT |
SI5935CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5513CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5504BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5908DC-T1-E3
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SI5902BDC-T1-GE3
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SI5902BDC-T1-E3
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SI5504DC-T1-GE3
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SI5509DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10CX220YU484E6G
Intel
EP4CE22E22C7
Intel
5SGSMD8N3F45I4N
Intel
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-1N
Intel