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codice articolo del costruttore | SI7190DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7190DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7190DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 118 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2214pF @ 125V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7190DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7190DP-T1-GE3-FT |
SI7110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7112DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7113ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7120DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7120DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7302DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7322ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7328DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7402DN-T1-E3
Vishay Siliconix
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
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EP3C40F780C6N
Intel