casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7111EDN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI7111EDN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7111EDN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen III |
SI7111EDN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.55 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 2.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5860pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7111EDN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7111EDN-T1-GE3-FT |
SQA401EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA405EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA410EJ-T1_GE3
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SQA470EJ-T1_GE3
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SI5857DU-T1-E3
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SI5857DU-T1-GE3
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Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel