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Vishay Siliconix SI6969BDQ-T1-GE3

Numero parte MFG
SI6969BDQ-T1-GE3
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42950 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SI6969BDQ-T1-GE3
Numero di parte futuro FT-SI6969BDQ-T1-GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI6969BDQ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 830mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI6969BDQ-T1-GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI6969BDQ-T1-GE3-FT

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