casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI6955ADQ-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI6955ADQ-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI6955ADQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6955ADQ-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 830mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6955ADQ-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI6955ADQ-T1-E3-FT |
SI1903DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1905BDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1905DL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1912EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1913DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1913EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1917EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1958DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1965DH-T1-E3
Vishay Siliconix
AGLN015V2-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP70-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35F672C7
Intel
EP4CE40U19I7N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation