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Vishay Siliconix SI1917EDH-T1-E3

Numero parte MFG
SI1917EDH-T1-E3
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83120 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
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360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-SI1917EDH-T1-E3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI1917EDH-T1-E3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 370 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 570mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI1917EDH-T1-E3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI1917EDH-T1-E3-FT

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