casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5475DDC-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5475DDC-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5475DDC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5475DDC-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5475DDC-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5475DDC-T1-GE3-FT |
IRF9630
Vishay Siliconix
IRF9640
Vishay Siliconix
IRF9Z14
Vishay Siliconix
IRF9Z24
Vishay Siliconix
IRF9Z30
Vishay Siliconix
IRF9Z34
Vishay Siliconix
IRFB11N50A
Vishay Siliconix
IRFB13N50A
Vishay Siliconix
IRFB16N50K
Vishay Siliconix
IRFB16N50KPBF
Vishay Siliconix
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel