casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5443DC-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI5443DC-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5443DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5443DC-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5443DC-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5443DC-T1-E3-FT |
SIS444DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS447DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS472ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS488DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS496EDNT-T1-GE3
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SIS612EDNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS626DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS698DN-T1-GE3
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SIS778DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS780DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel