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Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3

Name: SIS612EDNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS612EDNT-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (97 reviews)

Numero parte MFG: SIS612EDNT-T1-GE3

quantità disponibile: 38040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIS612EDNT-T1-GE3.pdf

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SIS612EDNT-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIS612EDNT-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIS612EDNT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SIS612EDNT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8S
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS612EDNT-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIS612EDNT-T1-GE3-FT

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