casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5424DC-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5424DC-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI5424DC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5424DC-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5424DC-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5424DC-T1-GE3-FT |
SIS488DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS496EDNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS612EDNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS626DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS698DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS778DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS780DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA96DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS98DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ7414AENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation