casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5406CDC-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5406CDC-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI5406CDC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5406CDC-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5406CDC-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5406CDC-T1-GE3-FT |
SISA96DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS98DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ7414AENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS401ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS405EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS405ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS423EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS462EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS484ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel