casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4840BDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4840BDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4840BDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4840BDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 12.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4840BDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4840BDY-T1-GE3-FT |
IRF7526D1TR
Infineon Technologies
IRF7526D1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7534D1
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IRF7534D1PBF
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IRF7534D1TR
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IRF7601PBF
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IRF7603TRPBF
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IRF7604TRPBF
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IRF7606TR
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IRF7606TRPBF
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A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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M1A3P400-FG484
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EPF10K130EFI484-2
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5AGXFB3H4F35C5N
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