casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7606TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7606TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7606TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7606TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro8™ |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7606TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7606TRPBF-FT |
SPB70N10L
Infineon Technologies
SPB73N03S2L-08
Infineon Technologies
SPB73N03S2L-08 G
Infineon Technologies
SPB73N03S2L08T
Infineon Technologies
SPB77N06S2-12
Infineon Technologies
SPB80N03S2-03
Infineon Technologies
SPB80N03S203GATMA1
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-03
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-03 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-04
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel