casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4838DY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4838DY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4838DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4838DY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 25A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4838DY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4838DY-T1-E3-FT |
IRF7707TR
Infineon Technologies
IRF7707TRPBF
Infineon Technologies
NTQS6463R2
ON Semiconductor
SI4425BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4425DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4459ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4840BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9435BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4435DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4431CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel