casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTQS6463R2
codice articolo del costruttore | NTQS6463R2 |
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Numero di parte futuro | FT-NTQS6463R2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTQS6463R2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 930mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTQS6463R2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTQS6463R2-FT |
SI6413DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6469DQ-T1-GE3
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XC4005E-2TQ144I
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5SGSMD4K2F40I3LN
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