casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4620DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4620DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4620DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LITTLE FOOT® |
SI4620DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 7.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 15V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4620DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4620DY-T1-GE3-FT |
SI4108DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4110DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4114DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4114DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4116DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4124DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4124DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4126DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4136DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4158DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
Intel