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codice articolo del costruttore | SI4158DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4158DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4158DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5710pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4158DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4158DY-T1-GE3-FT |
SI4632DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4668DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4829DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4890BDY-T1-GE3
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UPA2737GR-E1-AT
Renesas Electronics America
SI4176DY-T1-E3
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SI4890DY-T1-GE3
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SI4436DY-T1-E3
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LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel