casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4564DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4564DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4564DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4564DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A, 9.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
Potenza - Max | 3.1W, 3.2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4564DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4564DY-T1-GE3-FT |
SI4904DY-T1-E3
Vishay Siliconix
CWDM305ND TR13
Central Semiconductor Corp
SH8J65TB1
Rohm Semiconductor
SH8J66TB1
Rohm Semiconductor
SH8K1TB1
Rohm Semiconductor
SH8M3TB1
Rohm Semiconductor
SH8M41TB1
Rohm Semiconductor
SH8M5TB1
Rohm Semiconductor
SI4200DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4554DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL050T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGXMB9R3H43I4N
Intel
LFE2-50SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
10AX057K2F35I2LG
Intel