casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SH8M3TB1
codice articolo del costruttore | SH8M3TB1 |
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Numero di parte futuro | FT-SH8M3TB1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SH8M3TB1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A, 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8M3TB1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SH8M3TB1-FT |
AO8818
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO8822#A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO8830
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FDW2501N
ON Semiconductor
FDW2501NZ
ON Semiconductor
FDW2502P
ON Semiconductor
FDW2503N
ON Semiconductor
FDW2503NZ
ON Semiconductor
FDW2504P
ON Semiconductor
FDW2506P
ON Semiconductor
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55U484I7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
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5SGXMA7K2F40I3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1926C
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180FF35I4
Intel