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Rohm Semiconductor RUS100N02TB

Numero parte MFG
RUS100N02TB
quantità disponibile
55480 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.674688
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RUS100N02TB specificazioni

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Numero di parte futuro FT-RUS100N02TB
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RUS100N02TB Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RUS100N02TB Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RUS100N02TB-FT

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