casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4456DY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4456DY-T1-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI4456DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4456DY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5670pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4456DY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4456DY-T1-E3-FT |
RSS090P03TB
Rohm Semiconductor
RSS095N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS100N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS100N03TB
Rohm Semiconductor
RSS105N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS105N03TB
Rohm Semiconductor
RSS110N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS110N03TB
Rohm Semiconductor
RSS120N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS120N03TB
Rohm Semiconductor
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel