casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSS110N03TB
codice articolo del costruttore | RSS110N03TB |
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Numero di parte futuro | FT-RSS110N03TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSS110N03TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.7 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (massimo) | 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSS110N03TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSS110N03TB-FT |
SI4447DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4451DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4463BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
SI4864DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4864DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4866DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4866DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel