casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4421DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4421DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4421DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4421DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.75 mOhm @ 14A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 850µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4421DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4421DY-T1-GE3-FT |
FDW254P
ON Semiconductor
FDW254PZ
ON Semiconductor
FDW256P
ON Semiconductor
FDW258P
ON Semiconductor
FDW262P
ON Semiconductor
FDW264P
ON Semiconductor
FDW6923
ON Semiconductor
IRF7700
Infineon Technologies
IRF7700GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7700TR
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel