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Infineon Technologies SI4420DYTR

Numero parte MFG
SI4420DYTR
quantità disponibile
42440 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SI4420DYTR specificazioni

codice articolo del costruttore SI4420DYTR
Numero di parte futuro FT-SI4420DYTR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
SI4420DYTR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2240pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4420DYTR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI4420DYTR-FT

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