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Infineon Technologies IRF7807VD2TRPBF

Name: IRF7807VD2TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7807VD2TRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (382 reviews)

Numero parte MFG: IRF7807VD2TRPBF

quantità disponibile: 87500 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: FETKY™ MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF7807VD2TRPBF.pdf

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IRF7807VD2TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF7807VD2TRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRF7807VD2TRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	FETKY™
IRF7807VD2TRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7807VD2TRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF7807VD2TRPBF-FT

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