casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4368DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4368DY-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI4368DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4368DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8340pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4368DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4368DY-T1-GE3-FT |
SI4100DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4447ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4186DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4447DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4840BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4056DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4116DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4128DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4420BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4423DY-T1-E3
Vishay Siliconix
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel