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Vishay Siliconix SI3867DV-T1-E3

Numero parte MFG
SI3867DV-T1-E3
quantità disponibile
38800 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SI3867DV-T1-E3
Numero di parte futuro FT-SI3867DV-T1-E3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI3867DV-T1-E3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI3867DV-T1-E3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI3867DV-T1-E3-FT

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