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codice articolo del costruttore | SI3443DDV-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI3443DDV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3443DDV-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta), 5.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3443DDV-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3443DDV-T1-GE3-FT |
SI1013R-T1-E3
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SI1021R-T1-E3
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SI1022R-T1-E3
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SI1031R-T1-E3
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SI1031X-T1-E3
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SI1032R-T1-E3
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SI1046R-T1-E3
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SI1046R-T1-GE3
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SI1308EDL-T1-GE3
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SI1302DL-T1-E3
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