casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI3460BDV-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI3460BDV-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI3460BDV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3460BDV-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3460BDV-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3460BDV-T1-E3-FT |
SI1072X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1073X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1073X-T1-GE3
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SI1078X-T1-GE3
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SI1013X-T1-E3
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SI1032X-T1-E3
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SI1046X-T1-GE3
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SI1012R-T1-GE3
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SI1013R-T1-GE3
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SI1032R-T1-GE3
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