casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI3451DV-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI3451DV-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI3451DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3451DV-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3451DV-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3451DV-T1-GE3-FT |
SI5441DC-T1-E3
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SI5441DC-T1-GE3
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SI5445BDC-T1-E3
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SI5445BDC-T1-GE3
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SI5447DC-T1-GE3
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SI5449DC-T1-E3
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SI5449DC-T1-GE3
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SI5461EDC-T1-E3
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SI5461EDC-T1-GE3
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SI5463EDC-T1-E3
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