casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5463EDC-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI5463EDC-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5463EDC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI5463EDC-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5463EDC-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5463EDC-T1-E3-FT |
SI1039X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1050X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1051X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1051X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1054X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1054X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1056X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1056X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1058X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1058X-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel