casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI3445ADV-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI3445ADV-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI3445ADV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI3445ADV-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3445ADV-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3445ADV-T1-E3-FT |
SI5404BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5406CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5406DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5406DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5432DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5433BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5433BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5435BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5435BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5440DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel