casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI3415A-TP
codice articolo del costruttore | SI3415A-TP |
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Numero di parte futuro | FT-SI3415A-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI3415A-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3415A-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3415A-TP-FT |
BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
FDV305N
ON Semiconductor
RTR040N03TL
Rohm Semiconductor
BSS84PH6327XTSA2
Infineon Technologies
SQ2362ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
T2N7002BK,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
FDN5618P
ON Semiconductor
SI2301CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SQ2308CES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI2316DS-T1-E3
Vishay Siliconix